半導(dǎo)體作為電子產(chǎn)品的核心，代表著信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)。我國(guó)近年來不斷加大對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)投入，一改以往國(guó)產(chǎn)芯片水平落后的局面。國(guó)產(chǎn)自研芯片也越來越多，華為麒麟990 5G、虎賁T7520、玄鐵910等國(guó)產(chǎn)芯片，都成為了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)突破的實(shí)例。如今的華為海思、紫光展銳，都可以和高通、三星、聯(lián)發(fā)科等國(guó)際領(lǐng)先的芯片公司一爭(zhēng)高下。而國(guó)內(nèi)還有一家半導(dǎo)體芯片巨頭，默默無聞了四年時(shí)間內(nèi)，最近一舉成名，打破了國(guó)外芯片的壟斷地位。

最近，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布：128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，同時(shí)這顆X2-6070閃存芯片還直接刷新了三項(xiàng)記錄，分別是：已知業(yè)界最大單位面積存儲(chǔ)密度、最高傳輸速度、最高單顆NAND存儲(chǔ)芯片容量。從目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)所研發(fā)的閃存芯片來看，可以和擁有的“128層堆疊技術(shù)水平”的三星相媲美。

要知道在長(zhǎng)江存儲(chǔ)剛成立的時(shí)候，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存芯片幾乎依賴于進(jìn)口。我國(guó)作為全球最大的芯片需求國(guó)，雖然國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)接近全球的三分之一，但國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體自給率水平非常低，特別是核心芯片極度缺乏，國(guó)產(chǎn)占有率都幾乎為零。而芯片關(guān)乎到國(guó)家的安全，國(guó)產(chǎn)化迫在眉睫。國(guó)家因此也將研發(fā)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)提升至國(guó)家戰(zhàn)略高度，近年來也是不斷地加大對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片企業(yè)的扶持力度。不得不說大基金投資的成果顯著，推動(dòng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2016年由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科投等，一起聯(lián)合成立了長(zhǎng)江存儲(chǔ)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立之初，其技術(shù)研發(fā)上就一直落后于三星等廠商。直到長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出一項(xiàng)突破性的技術(shù)——Xtacking技術(shù)，能夠直接提高3D NAND閃存的I/O高性能，以及更高的存儲(chǔ)密度。通過對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)走過了32層、62層的閃存歷程，現(xiàn)在更是成功研發(fā)出128層的兩款產(chǎn)品，這確立了公司在存儲(chǔ)行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力，并打破了被美、日、韓把控的內(nèi)存定價(jià)權(quán)以及市場(chǎng)的壟斷，達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)。這也意味著我國(guó)進(jìn)一步降低對(duì)于國(guó)外芯片產(chǎn)品的依賴。

作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短幾年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越，這是數(shù)千長(zhǎng)存的科研人員汗水和心血的凝聚的成果?？梢钥吹皆絹碓蕉嗟膰?guó)產(chǎn)廠商在不斷地尋求技術(shù)的突破，雖然國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)還存在一些劣勢(shì)和缺點(diǎn)，但是相信他會(huì)越來越好，讓我們期待越來越多的國(guó)產(chǎn)芯片誕生。

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