據(jù)韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士計劃對其中國半導體工廠進行技術提升改造。SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)設備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，產(chǎn)量約占其DRAM總產(chǎn)量的40%。
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